Наши конференции

В данной секции Вы можете ознакомиться с материалами наших конференций

VII МНПК "АЛЬЯНС НАУК: ученый - ученому"

IV МНПК "КАЧЕСТВО ЭКОНОМИЧЕСКОГО РАЗВИТИЯ: глобальные и локальные аспекты"

IV МНПК "Проблемы и пути совершенствования экономического механизма предпринимательской деятельности"

I МНПК «Финансовый механизм решения глобальных проблем: предотвращение экономических кризисов»

VII НПК "Спецпроект: анализ научных исследований"

III МНПК молодых ученых и студентов "Стратегия экономического развития стран в условиях глобализации"(17-18 февраля 2012г.)

Региональный научный семинар "Бизнес-планы проектов инвестиционного развития Днепропетровщины в ходе подготовки Евро-2012" (17 апреля 2012г.)

II Всеукраинская НПК "Актуальные проблемы преподавания иностранных языков для профессионального общения" (6-7 апреля 2012г.)

МС НПК "Инновационное развитие государства: проблемы и перспективы глазам молодых ученых" (5-6 апреля 2012г.)

I Международная научно-практическая Интернет-конференция «Актуальные вопросы повышения конкурентоспособности государства, бизнеса и образования в современных экономических условиях»(Полтава, 14?15 февраля 2013г.)

I Международная научно-практическая конференция «Лингвокогнитология и языковые структуры» (Днепропетровск, 14-15 февраля 2013г.)

Региональная научно-методическая конференция для студентов, аспирантов, молодых учёных «Язык и мир: современные тенденции преподавания иностранных языков в высшей школе» (Днепродзержинск, 20-21 февраля 2013г.)

IV Международная научно-практическая конференция молодых ученых и студентов «Стратегия экономического развития стран в условиях глобализации» (Днепропетровск, 15-16 марта 2013г.)

VIII Международная научно-практическая Интернет-конференция «Альянс наук: ученый – ученому» (28–29 марта 2013г.)

Региональная студенческая научно-практическая конференция «Актуальные исследования в сфере социально-экономических, технических и естественных наук и новейших технологий» (Днепропетровск, 4?5 апреля 2013г.)

V Международная научно-практическая конференция «Проблемы и пути совершенствования экономического механизма предпринимательской деятельности» (Желтые Воды, 4?5 апреля 2013г.)

Всеукраинская научно-практическая конференция «Научно-методические подходы к преподаванию управленческих дисциплин в контексте требований рынка труда» (Днепропетровск, 11-12 апреля 2013г.)

VІ Всеукраинская научно-методическая конференция «Восточные славяне: история, язык, культура, перевод» (Днепродзержинск, 17-18 апреля 2013г.)

VIII Международная научно-практическая Интернет-конференция «Спецпроект: анализ научных исследований» (30–31 мая 2013г.)

Всеукраинская научно-практическая конференция «Актуальные проблемы преподавания иностранных языков для профессионального общения» (Днепропетровск, 7–8 июня 2013г.)

V Международная научно-практическая Интернет-конференция «Качество экономического развития: глобальные и локальные аспекты» (17–18 июня 2013г.)

IX Международная научно-практическая конференция «Наука в информационном пространстве» (10–11 октября 2013г.)

Вторая научно-практическая конференция "АЛЬЯНС НАУК: ученый ученому" (3-7 октября 2005 г.)

Дослідження повного опору лавинно-пролітних транзисторів на високих частотах

В. Ф. Яремчук, О. Є. Фальштинська

Д осягнення мікроелектронної схемотехніки реалізовані в обчислювальній техніці та системах керування поставили завдання створення нових перетворювачі в , в тому числі з частотним входом. Використання в якості інформативного параметру частоти дозволяє уникнути застосування аналого-цифрових перетворювачів при обробці інформації, що знижує вартість систем контролю і управління. Тому, на сьогодні постає необхідність розробки якісно нових теоретичних підходів до створення мікроелектронних вимірювальних перетворювачів, розробки їх схем та конструкцій.

Виходячи з вище сказаного, для досягнення поставленої мети практичний інтерес представляють експериментальні дослідження повного опору структур типу p - n - i - p , з подальшим їх використанням в якості активних елементів вимірювальних перетворювачів параметрів навколишнього середовища.

Дана робота присвячена дослідженню функціональних залежностей реактивних властивостей транзисторних структур p - n - i - p типу в щирокому частотному діапазоні при дії зовнішніх фізичних факторів.

Результати дослідження повного опору p - n переходів транзисторних структур p - n - i - p типу від частоти змінного сигналу представлено нижче.

Рисунок

 

Рис. 1   Експериментальні залежності активної складової повного опору колекторно – емітерного p - n переходу лавинно-пролітного транзистора від частоти змінного сигналу

Рисунок

Рис. 2. Експериментальні залежності реактивної складової повного опору колекторно – емітерного p - n переходу лавинно-пролітного транзистора від частоти змінного сигналу

Рисунок

Рис. 3. Експериментальні залежності активної складової повного опору база - колекторного p - n переходу лавинно-пролітного транзистора від частоти змінного сигналу

Рисунок

Рис. 4. Експериментальні залежності реактивної складової повного опору база -колекторного p - n переходу лавинно-пролітного транзистора від частоти змінного сигналу

 

Рисунок

Рис. 5. Експериментальні залежності активної складової повного опору база – емітерного p - n переходу лавинно-пролітного транзистора від частоти змінного сигналу

Рисунок

Рис. 6.   Експериментальні залежності реа ктивної складової повного опору база – емітерного p - n переходу лавинно-пролітного транзистора від частоти змінного сигналу

 

Дослідження реактивного опору p - n переходів транзисторних структур p - n - i - p типу при зміні частоти показали, що повний опір p - n переходів має   змінний характер. Цей ефект пояснюється тим, що індуктивна компонента виникає за рахунок модуляції опору бази нерівноважними носіями, коли їх концентрація дорівнює концентрації основних [1], а ємнісна складова, як наявність дифузної ємності, що залежить від частоти.

Дослідження реактивного опору p - n переходів від частоти змінного струму виявило складну залежність. Для пояснення якої є необхідним створення математичних моделей p - n переходів даних транзисторів.

Таким чином, аналізуючи експериментальні дослідження, з одного боку, ми можемо стверджувати перспективність використання реактивних властивостей мікроелектронних приладів для створення вимірювальних перетворювачів, які мають частотний вихід, оскільки як добре видно з експериментальних даних частота суттєво впливає на повний опір даних транзисторів, а з другого боку – відображають досить недостатнє вивчення процесів, що відбуваються під час впливу частоти на напівпровідниковий елемент, що є безпосередньою причиною відсутності коректних математичних моделей детального опису таких перетворювачів.

 

Література:

1. Осадчук О.В. Мікроелектронні частотні перетворювачі на основі транзисторних структур з від’ємним опором. –Вінниця: « Універсум-Вінниця » , 2000. – 303 с.